中国芯片产业弯道超车机会 第三代半导体的优势何在?

2020-09-24 10:33

  中国芯片产业弯道超车机会,第三代半导体的优势何在?第三代半导体随着近几年的快速发展,在投资热潮过后,逐渐有相应的产品进入到大众的生活里面。

  简单来说,第三代半导体是指以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、金刚石、氧化锌(ZnO)为代表的宽禁带半导体材料。与我们熟悉的传统第一代、第二代半导体材料硅(Si)和砷化镓(GaAs)相比,第三代半导体具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小等独特的性能,使其在光电器件、电力电子、射频微波器件、激光器和探测器件等方面展现出巨大的潜力,是世界各国半导体研究领域的热点。

中国芯片产业弯道超车机会,第三代半导体

  在2020集微峰会上,西安电子科技大学微电子学院教授,博士生导师张进成在第三代半导体电子器件技术与产业发展现状和趋势的报告里面提到:“在中美贸易摩擦加剧和摩尔定律的背景下,底层材料尤其是第三代半导体材料的研发是给予了我国在半导体领域实现弯道超车的可能。”

  相比我国与国外以摩尔定律引领发展的先进制程接近2-3代的巨大差距,未来在摩尔定律接近极限的前提下,发展新材料研发会是半导体行业突破之一,同时也会是我国弯道超车的好机会。

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