第三代半导体上市公司龙头一览

2020-05-27 14:42

  第三代半导体材料在禁带宽度、热导率、介电常数、电子漂移速度方面的特性使其适合制作高频、高功率、高温、抗辐射、高密度集成电路;其在禁带宽度方面的特性使其适合制作发光器件或光探测器等。其中碳化硅材料在功率半导体和器件工艺较为热门,氮化镓材料外延生长和光电子比重较大。第三代半导体相关专利申请自2000年以来快速增长,美国早期领衔全球专利增长,近些年我国的申请量快速增长,超越美国。

  国家战略新兴产业政策中多次提到以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体器件,随着国内多家企业开始重视该领域,积极布局相关项目,我国的第三代半导体材料及器件有望实现较快发展。

  市场空间有多大?

  天风证券认为,碳化硅功率器件具有高频、 高效、 高温、 高压等优势,是下一代功率器件的发展方向。受高效电源、电动汽车等行业的需求驱动,碳化硅功率器件未来市场容量将以超过30%的年复合增长率发展,预计2027年市场容量达到120亿美元。

  专家认为,碳化硅器件目前在价格上是硅器件的1.5-2倍左右,有望在2023-2025年左右形成竞争格局。未来5-10年,如果氮化镓在电压性能和可靠性能上能进一步的提升,那么在电动汽车动力系统领域会和碳化硅形成一定的竞争。

  国泰君安认为,从全产业链角度,以5年的维度来看,第三代半导体器件和系统的成本(包括后期运行期间的能耗节省),比硅基器件和系统将会具备性价比优势,从而快速地推动行业的发展。单从材料本身的成本来讲,碳化硅氮化镓不太可能和硅片形成竞争。

  兴业证券认为,光伏、半导体成长性明确,先进碳基材料渗透率有望提升。随着5G和物联网等应用快速发展,对硅晶圆整体需求快速提升,全球新一轮半导体资本开支启动,自主可控有望打开关键设备、材料端的国产替代空间。光伏和半导体产业硅片大尺寸化趋势明确,对强度、纯度、导热系数等指标提出了更高的要求,传统石墨材料安全性、经济性不足,先进碳基复合材料有望逐步对其替代,渗透率提升,成为光伏、半导体产业晶硅制造热场系统部件主流材料。

  招商证券认为,氮化镓(GaN)是第三代半导体材料的典型代表,法国研究机构Yole预测,到2023年氮化镓射频器件的市场规模将达到13亿美元,复合增速为22.9%。随着第三代半导体材料的崛起,基于新材料的IGBT也将站上历史舞台。IGBT主要应用领域之一的新能源汽车也已经打开市场,未来空间巨大。碳化硅基IGBT将加速发展,建议关注第三代半导体材料与IGBT产业链。碳化硅(SiC)因其在高温、高压、高频等条件下的优异性能,在交流和直流转换器等电源转换装置中得以大量应用。目前,我国碳化硅(SiC)在高端市场领域,如智能电网、新能源汽车、军用电子系统等尚处于发展初期。根据IHS预测,到2025年,全球碳化硅功率半导体的市场规模有望达到30亿美元。

Tags: 概念股

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